三星DRAM遇到天花板-5nm工藝?
日期:2017-05-19 / 人氣: / 來源:
[概要說明]業(yè)界人士估計(jì),15納米或許是制程微縮的極限,未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對(duì)手差距,并擔(dān)憂中國業(yè)者急起直追,趕上三星。
據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星電子為了鞏固存儲(chǔ)器霸業(yè),制定了宏偉的DRAM發(fā)展藍(lán)圖,不過業(yè)界預(yù)估,15納米工藝可能是DRAM制程微縮的極限,與此同時(shí)三星還將感受到來自中國業(yè)者的壓力。
三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM,目前正研發(fā)17納米DRAM,預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時(shí),三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組,目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露,微縮難度高,2020年量產(chǎn)時(shí)間可能延后。
三星從20納米制程,轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程,縮小線寬(Line-width)的速度明顯放緩。對(duì)此,三星設(shè)備解決方案部門的半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室人員Jung Eun-seung說,為了繼續(xù)縮小線寬,必須開發(fā)與當(dāng)前不同的新材質(zhì),并提高制程穩(wěn)定性,以便進(jìn)入量產(chǎn)。因?yàn)橛?5nm開始,電流外泄和電容器干擾和情況將更為明顯,需要開發(fā)新的材質(zhì)。
業(yè)界人士估計(jì),15納米或許是制程微縮的極限,未來三星可能難以透過制程微縮拉大與對(duì)手差距,并擔(dān)憂中國業(yè)者急起直追,趕上三星。
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