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據(jù)《南方日報》，8月4日上午，廣東省十三屆人大常委會第二十三次會議經(jīng)表決通過，決定任命王曦為廣東省人民政府副省長。

科技部官方網(wǎng)站顯示，王曦現(xiàn)任科技部副部長、黨組成員。中共黨員。中共第十九屆中央候補(bǔ)委員。中國科學(xué)院上海冶金研究所畢業(yè)，研究生學(xué)歷，工學(xué)博士學(xué)位，中國科學(xué)院院士，研究員。

據(jù)其個人簡歷，王曦于1966年8月出生，上海人，1987年畢業(yè)于清華大學(xué)，1990年和1993年在中國科學(xué)院上海冶金研究所獲得材料物理碩士和博士學(xué)位，研究員，博士生導(dǎo)師，2009年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士。

2001年7月至2019年4月，王曦在中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所（簡稱：上海微系統(tǒng)所）工作。1994年至2004年歷任上海微系統(tǒng)所副研究員、室副主任、研究員、室主任、所長助理。2004年4月起任上海微系統(tǒng)所黨委副書記兼副所長。2010年7月起任上海微系統(tǒng)所所長。

2019年4月王曦任科技部黨組成員兼中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會副主席。2019年5月任科技部副部長、黨組成員兼中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會副主席。

據(jù)了解，作為中國著名半導(dǎo)體材料學(xué)家，王曦帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)制備出了國際最先進(jìn)水平的SOI晶圓片，解決了中國航天電子器件急需SOI產(chǎn)品的“有無”問題，還孵化出中國唯一的SOI產(chǎn)業(yè)化基地，實(shí)現(xiàn)了微電子材料的跨越式發(fā)展。

絕緣體上硅（SOI）技術(shù)被國際上公認(rèn)為"二十一世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)"，在低壓、低功耗電路、耐高溫電路、微機(jī)械傳感器、光電集成等方面具有重要應(yīng)用，是微電子和光電子領(lǐng)域發(fā)展的前沿。

自參加工作以來，王曦一直致力于載能粒子束與固體相互作用物理現(xiàn)象的研究，并將其應(yīng)用于高端集成電路襯底材料SOI的開發(fā)，主持完成了包括國家“863”計(jì)劃“超大規(guī)模集成電路配套材料”重大專項(xiàng)項(xiàng)目在內(nèi)的多個國家級項(xiàng)目。

他將研究成果應(yīng)用于先進(jìn)電子材料的人工合成，取得了一系列重要創(chuàng)新性研究成果。尤其是在新一代硅基先進(jìn)電子材料SOI領(lǐng)域，王曦領(lǐng)銜的研究團(tuán)隊(duì)在國內(nèi)處于最領(lǐng)先地位，他創(chuàng)辦的上海新傲科技股份有限公司成為繼美國、日本和法國后全球第四個最重要的SOI材料研發(fā)中心。

2006年王曦主持的“高端硅基SOI材料研究和產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目獲得國家科技進(jìn)步一等獎，項(xiàng)目研究團(tuán)隊(duì)獲得2007年中國科學(xué)院科技成就獎，2008年度“何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎”。2008年，王曦團(tuán)隊(duì)制備出中國第一片8英寸鍵合SOI晶片，實(shí)現(xiàn)了SOI晶片制備技術(shù)的重要突破。

在擔(dān)任中科院上海微系統(tǒng)所所長期間，王曦還在上海牽頭推進(jìn)了12英寸集成電路硅片項(xiàng)目。2013年6月，王曦和中芯國際創(chuàng)始人張汝京博士共同建言，在上海啟動12英寸大硅片的研發(fā)。為填補(bǔ)這一產(chǎn)業(yè)空白，上海微系統(tǒng)所的協(xié)同創(chuàng)新單元—上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司于2014年6月成立。2016年，上海新昇拉出國內(nèi)第一根12英寸高質(zhì)量晶棒。