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三星芯片產(chǎn)量逆勢增長57%(轉(zhuǎn))

日期:2020-05-19 / 人氣: / 來源:

[概要說明]與2019年第一季度相比,三星的芯片產(chǎn)量在2020年第一季度增長了57 4%。該公司的季度報告顯示,盡管COVID-19爆發(fā),韓國科技巨頭仍在該季度中增加了DRAM和NAND閃存芯片。
與2019年第一季度相比,三星的芯片產(chǎn)量在2020年第一季度增長了57.4%。該公司的季度報告顯示,盡管COVID-19爆發(fā),韓國科技巨頭仍在該季度中增加了DRAM和NAND閃存芯片。結(jié)果,該公司在今年第一季度提高了其在DRAM市場的市場份額。
三星是全球最大的內(nèi)存芯片制造商,其芯片工廠在2020年1月至3月的季度開工率為100%。該公司在2020年第一季度生產(chǎn)了2774億個半導(dǎo)體器件,高于去年同期的1762億個半導(dǎo)體器件。它提高了芯片制造工藝的效率。
芯片生產(chǎn)的增長是為了滿足數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器對DRAM和存儲芯片的不斷增長的需求。自從COVID-19危機(jī)以來,人們一直在家工作,學(xué)習(xí)和娛樂,云服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心支持所有這些活動。該季度芯片銷售強(qiáng)勁,幫助該公司實現(xiàn)了更高的利潤。
然而,由于經(jīng)濟(jì)危機(jī)臨近,三星在本季度的手機(jī)和顯示器產(chǎn)量大幅下降,因為人們在智能手機(jī)和電視等高價商品上的支出減少了。這家韓國公司生產(chǎn)了5870萬臺智能手機(jī)和145萬臺顯示器,分別比2019年第一季度下降了34.4%和35.5%。該芯片巨頭還宣布了業(yè)界首款10nm EUV DRAM芯片,160層NAND閃存芯片和第三代HBM2E Flashbolt存儲器芯片。三星上周還宣布了其新一代SSD,支持PCIe Gen 4和E1.S尺寸。
 
疫情下三星西安半導(dǎo)體二廠如期投產(chǎn)
韓聯(lián)社首爾3月16日電三星電子在疫情下如期啟動了位于中國西安的半導(dǎo)體二廠生產(chǎn)線。據(jù)業(yè)內(nèi)及當(dāng)?shù)孛襟w16日消息,三星電子10日在西安第二工廠舉行第一期投資的產(chǎn)品上市儀式?!段靼踩請蟆穲蟮婪Q,西安第二工廠已經(jīng)做好量產(chǎn)準(zhǔn)備,計劃8月開足馬力生產(chǎn)。三星(中國)半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基在上市儀式上表示,盡管遇到了2月物流不暢、原材料供應(yīng)困難、人力不足等問題,但地方政府和企業(yè)努力加強(qiáng)防控將新冠疫情影響降至最低。
西安工廠是三星電子唯一一個海外半導(dǎo)體存儲器生產(chǎn)基地,量產(chǎn)3D垂直設(shè)計的V-NAND閃存。該項目自2012年被引進(jìn)西安以來,經(jīng)歷了幾次擴(kuò)產(chǎn)。其中一期項目于2014年5月竣工投產(chǎn)。該項目原計劃投資70億美元,但實際總投資超過了100億美元。二期項目已于2018年3月開工建設(shè),預(yù)計今年7月份建成,2020年一季度實現(xiàn)量產(chǎn)。按照規(guī)劃,三星西安二期項目的投資將會高達(dá)140億美元。
根據(jù)中國閃存市場報道,主要生產(chǎn)的是第五代96層3D V-NAND芯片,不僅滿足中國市場需求,還通過韓國總部遠(yuǎn)銷歐美、東南亞等地,用于滿足不斷增長的存儲需求。三星宣布開工建設(shè)的是西安二期第二階段工廠,2021年下半年竣工,項目建成后將新增產(chǎn)能13萬片/月,新增產(chǎn)值300億元。
三星西安二期二階段新廠建成后,將投產(chǎn)128層或更高堆疊層數(shù)的3D NAND。除了三星西安工廠,三星新建成的平澤2號工廠也計劃在2020年運(yùn)營,大規(guī)模生產(chǎn)的時間尚未確定。平澤2號工廠將先建NAND Flash生產(chǎn)線,然后再投資建設(shè)DRAM產(chǎn)線,與平澤一期工廠的規(guī)劃大體一致。


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