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根據(jù)市調(diào)機構(gòu)集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange最新調(diào)查，時序進入9月下旬，正值各家廠商議定第四季合約價的關(guān)鍵時機，但受到位元產(chǎn)出持續(xù)增加，以及旺季需求并未明顯增溫的影響，價格走弱的態(tài)勢更為明顯，DRAM第四季合約價跌幅將由原先預估的季跌1～3％擴大至約5％。

DRAMeXchange資深協(xié)理吳雅婷指出，DRAM價格在過去9個季度期間大幅上揚，但從今年第三季起價格已經(jīng)開始走弱，其中標準型PC DRAM與伺服器DRAM價格漲幅縮小至1～2％，行動式DRAM價格在旺季僅持平開出，繪圖用DRAM更率先出現(xiàn)跌價。觀察現(xiàn)貨市場狀況，價格從年初一路下滑，并在今年6月底開始正式低于合約價，而目前的現(xiàn)貨價格已經(jīng)低于合約價格約10％，顯示后續(xù)合約價格仍將繼續(xù)下跌。

從伺服器DRAM市場來觀察，受惠于平臺轉(zhuǎn)換與資料中心建案挹注，伺服器需求比往年來的熱絡(luò)，但今年上半年因DRAM供給仍吃緊，導致終端紛紛以超額訂單的方式維持穩(wěn)定貨源。第三季隨著原廠持續(xù)提升伺服器DRAM的產(chǎn)出比重，供給達成率已轉(zhuǎn)趨飽和。展望第四季，除了伺服器需求出現(xiàn)雜音外，目前由于通路價格持續(xù)開低，韓系原廠已率先降低第四季價格標的，預估季跌幅將達5％左右，高于原先預期的2％。

與伺服器DRAM產(chǎn)品屬性較為相近的PC DRAM同樣呈現(xiàn)供過于求，再加上英特爾新平臺供貨不足影響筆電出貨狀況，導致PC DRAM第四季價格跌幅也上看5％。利基型的消費型DRAM則受到中美貿(mào)易戰(zhàn)帶來的不確定性因素影響，需求已出現(xiàn)下修，價格也從9月開始下跌，第四季的跌幅更可能超過PC DRAM與伺服器記憶體。

占整體供貨比重最大的行動式DRAM價格同樣呈現(xiàn)下滑趨勢。展望第四季，雖然在新款iPhone出貨的拉升下，需求逐漸增溫，但由于新款機種的定價高于市場預期，銷售預估轉(zhuǎn)為保守，因此難以反轉(zhuǎn)DRAM供過于求的態(tài)勢。預估分離式（discrete）單顆行動式DRAM第四季價格跌幅約在3％，eMCP解決方案則因NAND Flash價格下滑更為快速，整體跌幅可能擴大至8％。

無獨有偶，IC Insights在早前發(fā)布的報告中稱，預計2018年全球七大類芯片產(chǎn)品的市場規(guī)模增速為16%，較2017年25%的實際增速有所放緩。報告預計DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)平均售價(以及隨后的市場增長)處于或接近其峰值，預計DRAM產(chǎn)品2018年的增速為39%，其2017年的實際增速高達77%。首當其沖的要數(shù)兩類主流存儲器產(chǎn)品。報告預計，DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)產(chǎn)品2018年的增速為39%，而其2017年的實際增速高達77%；NAND Flash(非易失存儲器門類之一)產(chǎn)品2018年的預計增速為18%，其2017年的實際增速高達53%。

IC Insights認為，平均銷售價格的上漲推動了DRAM的市場規(guī)模在今年前8個月持續(xù)上漲。但IC Insights預計，DRAM平均售價(以及隨后的市場增長)處于或接近其峰值，原因是2019年開始，用于產(chǎn)能升級和擴張的資本支出將大幅上升。

而據(jù)DIGITIMES報道，為了穩(wěn)定DRAM的價格，三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)有可能彈性調(diào)整供給量配合市場需求，避免DRAM價格下跌。但除了國外分析師對市場景氣看壞，韓國金融業(yè)界也預估兩大韓廠會持續(xù)擴大DRAM供給量，呼吁廠商暫緩投資。

實際上三星電子放慢平澤工廠的DRAM產(chǎn)線擴產(chǎn)速度，考慮采取較保守的供給策略，平澤工廠的剩余投資最快在2018年底才會執(zhí)行。SK海力士即將啟用的M15新廠將以生產(chǎn)NAND Flash為主，DRAM工廠M16預定2019年才會動工。

報導分析，三星電子近來調(diào)降利潤低的移動DRAM生產(chǎn)比重，提高利潤高的服務(wù)器DRAM供給，DRAM價格緩慢下跌可能受此轉(zhuǎn)換過程影響，并非完全是因為市場普遍認為的供給過剩所造成。

專家認為NAND Flash價格下跌雖是影響市場景氣的因素，但價格上漲才是反常。廠商的制程、技術(shù)愈來愈進步，理應(yīng)讓生產(chǎn)成本與市場價格下跌。

韓國金融業(yè)界呼吁兩大韓廠應(yīng)減少擴產(chǎn)投資，避免價格過度價跌，認為三星電子應(yīng)不會進行2018年下半DRAM與NAND Flash的新增產(chǎn)線投資，即便有投資也是小規(guī)模水平。SK海力士在第3季執(zhí)行部分NAND Flash新增投資，DRAM則要到2018年底或2019年初才會有小幅度投資。