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    首先是電子阱測試的問題。

    電子阱存在于MOSFET的溝道之中，隨著工藝的演進，器件MOSFET的溝道變得越來越短，這就會影響器件穩(wěn)定性以及器件間的失配。為了能測量出器件中電子阱的數(shù)量，傳統(tǒng)方法是在直流情況下測試器件的隨機電報噪聲，但在先進工藝（如16nm），這樣的測量就顯得有些力不從心。

    另一方面，MOSFET的遷移率（遷移率是MOSFET性能的重要指標）的測量也成為從業(yè)者關注的另一個重要問題。

    傳統(tǒng)的慢速方法無法捕捉到電荷阱和柵極漏電流等瞬態(tài)效應的影響，而且在測試過程中需要改變MOSFET的漏端電壓并有一次更換線纜的動作，進而造成誤差。

    為此，供應商們與時俱進的推出了新的測試方案，幫助其客戶解決問題。

    例如面向電子阱的問題，泰克采用了柵極加交流電的情況下去測隨機電報噪聲的方法，從而提高電子阱的測試準確率和測試靈敏范圍。
 

    至于遷移率測量，泰克則采用（Ultra-Fast Single Pulse）UFSP的方法僅需一次快速打一個很短的脈沖（幾微秒）即可測出遷移率，避免了傳統(tǒng)方法的幾個問題。