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日本MyNaviNews報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在2016年到達(dá)谷底后，現(xiàn)在又持續(xù)上漲，且因存儲(chǔ)器廠商產(chǎn)能過多帶來價(jià)格崩盤的教訓(xùn)，即使現(xiàn)在市場(chǎng)需求持續(xù)上漲，廠商設(shè)備投資卻優(yōu)先用在其它方面，因此市場(chǎng)估計(jì)，DRAM價(jià)格不僅2017年內(nèi)只漲不跌，甚至2018全年仍會(huì)持續(xù)上漲。

目前主要的DRAM供應(yīng)廠，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)，雖然有新廠建設(shè)計(jì)劃，但估計(jì)最快也要2019年才能進(jìn)行試產(chǎn)，大量生產(chǎn)可能會(huì)更晚。

可是現(xiàn)在市場(chǎng)的DRAM需求有增無減，智能型手機(jī)的性能提升帶動(dòng)DRAM需求成長(zhǎng)，美國主要IT業(yè)者投資云端資料中心建設(shè)，同時(shí)也帶來DRAM需求，使得DRAM的單位容量平均價(jià)格在2016年7月到2017年7月之間，增加1.1倍。

目前市場(chǎng)估計(jì)，2018年的全球DRAM需求量，將有超過20%的成長(zhǎng)，但DRAM大廠因?yàn)闆]有新廠展開量產(chǎn)，透過現(xiàn)有生產(chǎn)線的升級(jí)與最佳化，DRAM晶圓產(chǎn)能估計(jì)僅增加5~7%，供貨容量成長(zhǎng)率很難到達(dá)20%，供不應(yīng)求的情況下，可以預(yù)期DRAM漲勢(shì)將持續(xù)到2018年全年。

相對(duì)于DRAM在2016年因供過于求，導(dǎo)致價(jià)格下跌，其它存儲(chǔ)器產(chǎn)品，比方三星、SK海力士、美光也都有份的NAND Flash，各廠從2016年起便積極針對(duì)新的3D NAND Flash投資增產(chǎn)，但NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)成長(zhǎng)，東芝存儲(chǔ)器(TMC)出售案的糾紛更讓其它廠覺得有機(jī)可乘，積極投資增產(chǎn)。

另外，目前也是半導(dǎo)體新制程引進(jìn)時(shí)機(jī)，如極紫外光(EUV)曝光設(shè)備、納米壓印(NanoImprint)，甚至是MRAM等其它新存儲(chǔ)器技術(shù)接近實(shí)用階段的時(shí)間點(diǎn)，如日本半導(dǎo)體設(shè)備廠東京威力科創(chuàng)(TEL)便與美國Spin Transfer Technologies合作，研發(fā)MRAM制造技術(shù)，供存儲(chǔ)器廠發(fā)展次世代產(chǎn)品應(yīng)用。

因此，DRAM設(shè)備投資，相對(duì)于其它種類的存儲(chǔ)器技術(shù)及產(chǎn)品設(shè)備投資，便遭到DRAM大廠放緩與擱置：三星與SK海力士的新DRAM生產(chǎn)線，計(jì)劃都是在2019年才開始生產(chǎn)，美光甚至?xí)簾o新廠計(jì)劃，DRAM供不應(yīng)求與價(jià)格上漲問題，恐非短期內(nèi)能解決。

日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)訪問日本的PC零售商，商家表示，因手機(jī)與云端資料中心需求優(yōu)先，PC業(yè)者的DRAM訂單交貨時(shí)間在2017年中便已明顯拖慢，若DRAM短缺問題將持續(xù)到2018年，則市場(chǎng)缺貨情況將更加嚴(yán)重，值得注意。